RF High Switching Speed ​​High Isolation Test Systems SP12T PIN Diode Switches

Pin diodes ໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນໃຊ້ເປັນຫົວຫນ່ວຍສະຫຼັບສໍາລັບເສົາດຽວສະຫຼັບການຖິ້ມຫຼາຍ. PIN diode ເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນຕົວຕ້ານທານການໄຫຼເຂົ້າຂອງສັນຍານທີ່ມີຄວາມຖີ່ຫຼາຍກ່ວາ 10 ເທົ່າຂອງ diode cutoff frequency (fc). ໂດຍການເພີ່ມຄວາມລໍາອຽງຕໍ່ຫນ້າໃນປະຈຸບັນ, ຄວາມຕ້ານທານ junction Rj ຂອງ PIN diode ສາມາດປ່ຽນຈາກຄວາມຕ້ານທານສູງໄປສູ່ຄວາມຕ້ານທານຕ່ໍາ. ນອກຈາກນັ້ນ, PIN diode ສາມາດນໍາໃຊ້ໄດ້ທັງຮູບແບບການສະຫຼັບຊຸດແລະຮູບແບບການສະຫຼັບຂະຫນານ.

Pin diode ເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນເອເລັກໂຕຣນິກຄວບຄຸມໃນປະຈຸບັນຢູ່ໃນຄວາມຖີ່ວິທະຍຸແລະໄມໂຄເວຟ. ມັນ​ສາ​ມາດ​ສະ​ຫນອງ​ການ​ເປັນ​ເສັ້ນ​ທີ່​ດີ​ເລີດ​ແລະ​ສາ​ມາດ​ນໍາ​ໃຊ້​ໃນ​ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ຄວາມ​ຖີ່​ສູງ​ແລະ​ພະ​ລັງ​ງານ​ສູງ​. ຂໍ້ເສຍຂອງມັນແມ່ນຈໍານວນຂະຫນາດໃຫຍ່ຂອງພະລັງງານ DC ທີ່ຕ້ອງການສໍາລັບຄວາມລໍາອຽງ, ເຮັດໃຫ້ມັນຍາກທີ່ຈະຮັບປະກັນການກໍານົດການປະຕິບັດການໂດດດ່ຽວແລະຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີການອອກແບບຢ່າງລະມັດລະວັງເພື່ອບັນລຸຄວາມສົມດຸນ. ເພື່ອປັບປຸງການໂດດດ່ຽວຂອງ diode PIN ດຽວ, ສອງຫຼືຫຼາຍກວ່ານັ້ນ diodes PIN ສາມາດໄດ້ຮັບການນໍາໃຊ້ໃນຮູບແບບຊຸດ. ການເຊື່ອມຕໍ່ຊຸດນີ້ອະນຸຍາດໃຫ້ແບ່ງປັນກະແສ bias ດຽວກັນເພື່ອປະຫຍັດພະລັງງານ.

ສະວິດ SP12T PIN Diode ເປັນອຸປະກອນຕົວຕັ້ງຕົວຕີທີ່ສົ່ງສັນຍານ RF ຄວາມຖີ່ສູງຜ່ານຊຸດຂອງເສັ້ນທາງສາຍສົ່ງ, ດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງບັນລຸການສົ່ງແລະການສະຫຼັບຂອງສັນຍານໄມໂຄເວຟ. ຈໍາ​ນວນ​ຂອງ​ຫົວ​ສາຍ​ສົ່ງ​ຢູ່​ເຄິ່ງ​ກາງ​ຂອງ​ເສົາ​ດຽວ​ສິບ​ສອງ​ສະ​ຫຼັບ​ຖິ້ມ​ແມ່ນ​ຫນຶ່ງ​, ແລະ​ຈໍາ​ນວນ​ຂອງ​ຫົວ​ສາຍ​ສົ່ງ​ໃນ​ວົງ​ນອກ​ແມ່ນ​ສິບ​ສອງ​.

ສະວິດ SP12T PIN Diode ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນລະບົບໄມໂຄເວຟຕ່າງໆ, ລະບົບການທົດສອບອັດຕະໂນມັດ, radar ແລະຂົງເຂດການສື່ສານ, ແລະຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນ reconnaissance ເອເລັກໂຕຣນິກ, ມາດຕະການຕ້ານ, multi beam radar, phased array radar, ແລະຂົງເຂດອື່ນໆ. ດັ່ງນັ້ນ, ການສຶກສາສະຫຼັບໄມໂຄເວຟທີ່ມີການສູນເສຍການແຊກຕ່ໍາ, ການໂດດດ່ຽວສູງ, ຄວາມກວ້າງໃຫຍ່, ການຂະຫຍາຍນ້ອຍ, ແລະຫຼາຍຊ່ອງທາງມີຄວາມສໍາຄັນທາງວິສະວະກໍາ.